Slide background
Slide thumbnail
SSD SAMSUNG M.2 1TB SATA3 970 EVO
SSD SAMSUNG M.2 500GB SATA3 860 EVO
Loading...

SSD SAMSUNG M.2 250GB SATA3 970 EVO

SSD SAMSUNG M.2 250GB SATA3 970 EVO

El precio se puede mostrar solo para Usuarios Registrados

  • Política de seguridad  (Información de seguridad y confianza para el cliente) Política de seguridad (Información de seguridad y confianza para el cliente)
  • Política de envío (Información de seguridad y confianza para el cliente) Política de envío (Información de seguridad y confianza para el cliente)
  • Política de Privacidad (Información de seguridad y confianza para el cliente) Política de Privacidad (Información de seguridad y confianza para el cliente)
Acelerar en la próxima generación de informática. El Samsung 970 EVO ofrece velocidades revolucionarias y la mejor fiabilidad de su clase. El último V-NAND, el nuevo controlador Phoenix y la tecnología Intelligent TurboWrite mejoran los juegos de alta gama y la edición gráfica 4K y 3D.


Características:
La 970 Evo transformando de gama alta Gaming y ofrece rápida velocidad de procesamiento trabajos por denneuen Phoenix controlador y la inteligente tecnología TurboWrite.
Potencia de datos hasta 3.300 MB/s * de lectura y hasta 2.500 MB/s * al escribir son hasta 32% más en la generación anterior.
La Samsung Magician software de mantiene la unidad con actualizaciones siempre actualizado; supervisa el estado parámetros y optimizado para usted la capacidad de potencia.


Especificaciones Samsung SSD 970 EVO NVMe M.2
Serie: SSD 970 EVO
Interfaz: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
Capacidad: 250 GB (1 GB = 1 mil millones de bytes por IDEMA)
Velocidad de lectura secuencial: Hasta 3.400 MB / s
Velocidad de escritura secuencial: Hasta 1.500 MB / s
Velocidad de lectura aleatoria: Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 200,000 IOPS de lectura aleatoria, Lectura aleatoria (4KB, QD1): hasta 15,000 lecturas aleatorias IOPS
Velocidad de escritura aleatoria: Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 350,000 IOPS de escritura aleatoria, Escritura aleatoria (4KB, QD1): hasta 50,000 IOPS de escritura aleatoria
Controlador: Controlador Samsung Phoenix
NAND Flash: Samsung V-NAND de 3 bits MLC
Trim Support: Soportado
Encriptación AES: Encriptación AES de 256 bits (Clase 0) TCG / Opal IEEE1667 (Unidad encriptada)
Prueba de temperatura: Sí
Consumo de energía promedio (nivel del sistema): Promedio: 5.4 W * Máximo: 10 W (modo de ráfaga)
Consumo de energía (inactivo): Max. 30 mW
Voltaje: 3.3 V 5% de voltaje permitido
Confiabilidad (MTBF): 1.5 millones de horas de fiabilidad (MTBF)
Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ? Temperatura de funcionamiento
Choque: 1,500 G y 0,5 ms (medio seno)
Producto: M.2 (2280)
MZ-V7E250BW
to top